一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构详细介绍

　　本实用新型公开一种适用于 PVT 法生长 SiC 晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层 ；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔 ；以及插通所述开孔形成于籽晶托上的测温管。本实用新型的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。

　　1. 一种适用于 PVT 法生长 SiC 晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层 ；其特征在于，所述测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔 ；以及插通所述开孔固定于籽晶托上的测温管。 2. 根据权利要求 1 所述的测温结构，其特征在于，所述测温管由不低于 2500℃的耐高温材料制成。 3. 根据权利要求 2 所述的测温结构，其特征在于，所述耐高温材料为石墨材料或钽。 4. 根据权利要求 1 所述的测温结构，其特征在于，所述测温管高于保温层或与保温层顶部齐平。 5. 根据权利要求 1 所述的测温结构，其特征在于，所述测温管内径为 5mm-30mm，测温管壁厚为 1mm-15mm。 6.根据权利要求1至5中任一项所述的测温结构，其特征在于，所述测温管插入并固定在籽晶托上方设置的有底中心孔内。 7.根据权利要求1至5中任一项所述的测温结构，其特征在于，所述测温管套接并固定在籽晶托上方设置的凸台上。 8.根据权利要求1至5中任一项所述的测温结构，其特征在于，所述测温管与籽晶托一体地成型为一个整体。