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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计

具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计

2022-10-28 | pdf | 161.45KB | 次下载 | 免费

资料介绍

使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换更高水平的功率,如图1所示。GaN半导体能够在交流/直流供电应用,实现新型电源和转换系统。(例如,5G通信电源整流器和服务器计算)GaN不断突破新应用的界限,并开始取代汽车、工业和可再生能源市场中传统硅基电源解决方案。  图1:硅设计与GaN设计的磁性元件功率密度对比 GaN FET:新的集成系统 大型数据中心、企业服务器和通信交换中心会消耗大量电能。在这些电源系统中,FET通常与栅极驱动器分开封装,因为它们使用不同的工艺技术,并且最终会产生额外的寄生电感。 除了导致较大的形状尺寸外,这还可能限制GaN在高压摆率下的开关性能…
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