资料介绍
本文档的主要内容详细介绍的是物联网和智能设备的EMI分析与设计技巧详细资料说明。
物联网智能设备系统:供电系统和主平台架构与传感器系统及语音显示
辐射干扰共模与差模信号的磁场分布!
30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起
1 可以采用增大MOS 驱动电阻;
2 优化RCD 缓冲吸收电路,吸收二极管并联101-102的电容;
3 或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
4 在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路电容《220pF;
5 在变压器与MOSFET D之间加BEAD CORE;
6 在变压器的输入电压引脚与辅助绕组GND加一个小电容推荐使用2.2nF;
7 优化PCB=进行LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能的小;
8 优化PCB=变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起
1 可以在输出整流管上串磁珠;
2 调整输出整流管的吸收电路参数;
3 可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD-CORE;
4 也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(改变散热器的接地点)。
5 变压器增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。变压器外壳用屏蔽材料铜箔环绕一圈构成一回路加以屏蔽,铜箔形成闭环接初级地。200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准。
关于辐射的一个重要基本概念是:电流导致辐射,而非电压!
1.差模电流的磁场主要集中在差模电流构成的回路面积之内,而回路面积之外的磁力线会相互抵消;
2.共模电流的磁场,在回路面积之外,共模电流产生的磁场方向相同,磁场强度反而加强!
设计技巧总结:
A.高频电流环路面积S越大, EMI辐射越严重。减少辐射骚扰或提高射频辐射抗干扰能力的最重要任务之一,就是想方设法减小高频电流环路面积S!
B.环路电流频率f越高,引起的EMI辐射越严重,电磁辐射场强随电流频率f的平方成正比增大。减少辐射骚扰或提高射频辐射抗干扰能力的最重要途径之二,就是想方设法减小骚扰源高频电流频率f,即减小骚扰电磁波的频率;同时还可使用展频技术!
C.数字电路工作需要的各种时钟信号及高频谐波及它们的组合,各种时钟如CPU芯片工作时钟、MPEG解码器工作时钟、视频同步时钟(27MHz,16.9344MHz 40.5MHz)等;
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