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龙芯3A、3B及2G芯片的主板存设计及布局指导资料说明

3470621 2019-04-19 | doc | 0.01 MB | 次下载 | 1积分

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资料介绍

　　本文档为基于龙芯3A、3B及2G芯片的主板设计提供内存设计及layout指导，根据我们针对现有的开发系统的信号测试结果及龙芯CPU的特点，给出了目前我们认为比较合理的内存设计方案。本方案针对采用DDR3DIMM插槽的主板设计方案，

　　2.电源设计要求

　　Vref信号，该信号电流较小，但是该信号的不稳定会导致时序误差、产生比较大的jitter 等问题，所以需要保证Vref电压值稳定，波动范围小于+-2%。对于Vref的走线要求：

　　1）走线宽度30mils，推荐走在表层

　　2）距离其它信号走线距离大于20mil，距其它干扰源（power switch，晶振等）250mil 以上

　　3）Vref通过1%的电阻对DIMM_VDD分压产生，在DIMM插槽的每一个Vref引脚和CPU 的每个Vref引脚附近至少放置0.01uF和0.1uF电容各一个，在分压电阻附近放置1个0.1uF 电容。

　　VTT电压的设计及走线要求

　　1）VTT瞬间电流需求较大，请采用专用的电源芯片产生，禁止使用电阻分压方式

　　2）VTT铺铜走在表层，产生VTT的电源电路距DIMM插槽上的VTT引脚尽量近

　　3）VTT的铺铜平面上靠近DIMM插槽的位置放置4个0.1uF电容，另外需再放1~2个 10~22uF的电容。

　　时钟、命令和控制信号线在内存条上以MEM_VDD作为参考平面，而在Loongson3A上参考平面为GND。为解决信号线跨分割带来的信号完整性问题，需要在DIMM条附近增加连接MEM_VDD和GND的电容。

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