3A、2MHz单芯片同步降压型稳压器为DDR内存端接提供紧凑型解决方案

LTC®3413 是一款单片式同步降压型 能够产生总线的开关稳压器 DDR/DDR2 内存应用的终止电压。在源出和吸收高达 3A 电流时， LTC3413 允许高达 2兆赫。提高开关频率使得紧凑的解决方案成为可能，允许使用更小 电感器和电容器。内部电源开关 导通电阻仅为 85mΩ，使之成为可能 在产生时实现高达 90% 的效率 输出电压低至 0.6V。用于改善散热效果 处理时，LTC3413 采用 16 引脚 TSSOP 封装 带有裸露垫的包装。

LTC3413 利用一个恒定的频率、电流 采用输入电压工作的模式架构 范围为 2.25V 至 5.5V，并提供一个稳压输出 电压等于V裁判/2.开关频率可以 通过单个外部设置在 300kHz 至 2MHz 之间 电阻器。输出电压纹波成反比 开关频率和电感值。 具有提高开关频率的能力 高达 2MHz 允许较低的电感值 在保持低输出电压纹波的同时使用。 因为较小的外壳尺寸通常适用于较低的 电感值，整体解决方案的占位面积可以是 减少。一个内部分压器将基准电压源减半 电压，无需外部电阻器 执行此任务。

3A、2.5V至1.25V降压型DC/DC转换器

图1所示为2.5V至1.25V的设计方案 能够提供源的降压型 DC/DC 转换器 并吸收高达 3A 的输出电流。为此提高效率 电路高达90%，如图2所示。因为 陶瓷电容器的低成本和低ESR是 为输入和输出电容器选择。虽然 许多开关稳压器难以操作 使用陶瓷电容器并依靠零 由钽电容器的较大ESR产生， OPTI-环补偿允许 LTC3413 使用陶瓷输入和输出成功运行 电容器。该电路的频率设置为1MHz 通过单个外部电阻器。以频率工作 如此高允许使用更小的外部组件 如图1所示的电感和电容器。®

图1.2.5V 至 1.25V、±3A DDR 内存端接电源。

图2.效率与负载电流的关系，V在= 2.5V。

许多 DDR 终端应用需要总线 终止电压从较高的电压降压 跟踪一半基准电压时的系统电压 电压。此选项在大多数系统中是允许的，因为 通常提供基准电压。图 3 显示 适用于 3.3V 至 1.25V、±3A DDR 存储器的设计解决方案 终端电源，采用一个 2.5V 外部基准。

图3.1.25V、±3A DDR 内存端接电源，采用 3.3V 电源供电。

该电路的效率高达90%，如 图4.图 5 显示了另一种设计解决方案 3.3V 至 0.9V、±3A 端接电源，外部 1.8V 参考。从更高的系统电压降压 具有降低电阻损耗的优点，由于 内部电源开关，从而提高效率。

图4.效率与负载电流的关系，V在= 3.3V。

图5.0.9V、±3A HSTL 存储器终端电源。

结论

LTC®3413 是一款单片式、同步降压型 非常适合DDR内存的DC/DC转换器 需要高达 ±3A 输出的端接应用 当前。其高开关频率和内部低 RDS（ON）电源开关允许 LTC3413 提供 紧凑、高效的设计解决方案。

审核编辑：郭婷