资料介绍
纳米复合磁电材料复合与块体复合差不多,其结构很相似,只是复合的尺度大小不同。纳米复合是在纳米尺度范围内的复合,这就造就了纳米复合材料的特殊性能。相比于块体磁电复合材料,纳米复合磁电材料具有一些独特的优越性:
(1)复合材料组分相的比例可以在纳米尺度上进行修改和控制,可以在纳米尺度范围内直接研究磁电效应的微观机理。
(2)块体材料中相之间的结合是通过共烧或者粘接的方式相结合的,其界面损耗是一个不容忽视的问题,而在薄膜中町实现原子尺度的结合,可以有效降低界面耦合损失。
(3)纳米磁电复合薄膜的制备为控制晶格应力、缺陷等方面提供了更大的自由,可获得高度择优取向甚至超晶格复合薄膜,更有利于研究磁电耦合的微观机理。
在纳米尺度下研究纳米复合磁电薄膜,其技术町以很容易地移植到半导体工艺中,用于制造集成磁/电器件。 纳米复合材料的连通性主要分为3大类,一类是纳米颗粒磁电材料,一种是纳米柱状磁电材料,还有一种是纳米层状磁电材料。随着近年薄膜制备经验和技术的积累,使得制备优质复杂结构的复合薄膜成为可能。由于磁电复合薄膜涉及两相多种成分的复合,比较常见的制备方法是使用激光脉冲沉积法。
激光脉冲沉积(PLD)就是将激光瞬间聚焦于靶材上一块较小面积上,利用激光的高能量密度将激光照射处的靶材蒸发甚至电离,使其原子脱离靶材向基板运动,在温度较低的基板上沉积,从而达到成膜目的的一种手段。由于脉冲激光的高加热速率,晶体膜的激光沉积比其他薄膜生成技术要求的基板温度更低。但是PLD也有一个严重的问题,薄膜容易被溅污。溅射出来的大微粒将阻碍随后薄膜的形成,会影响薄膜的性能。
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