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FLASH存储器GigadeviceGD25Q32ETIGR

数据:

待机电流(Max) : 12μA
接口类型 : SPI
数据保留 - TDR(年) : 20年
写周期寿命 : 100000次
块擦除时间(tBE) : 150ms@(32KB)
页写入时间(Tpp) : 500μs
引脚数 : 8Pin
存储容量 : 32Mbit
长x宽/尺寸 : 4.90 x 3.90mm
高度 : 1.45mm
最大时钟频率 : 133MHz
工作电压 : 2.7V~3.6V
工作温度 : -40℃~+85℃
安装类型 : SMT
封装/外壳 : SOP-8
双路和四路串行闪存
GD25Q32ETIGR由Gigadevice设计生产。GD25Q32ETIGR封装/规格:待机电流(Max)/12μA:接口类型/SPI:数据保留 - TDR(年)/20年:写周期寿命/100000次:块擦除时间(tBE)/150ms@(32KB):页写入时间(Tpp)/500μs:引脚数/8Pin:存储容量/32Mbit:长x宽/尺寸/4.90 x 3.90mm:高度/1.45mm:最大时钟频率/133MHz:工作电压/2.7V~3.6V:工作温度/-40℃~+85℃:安装类型/SMT:封装/外壳/SOP-8:,双路和四路串行闪存。你可以下载GD25Q32ETIGR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FLASH存储器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 GD25Q32ETIGR 相关库存
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