配置 ：
单路
功率耗散 ：
625mW
击穿电压 ：
60V
极性 ：
N-沟道
元件生命周期 ：
Active
应用等级 ：
Industrial
存储温度 ：
-50℃~+150℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
4.70mm
长x宽/尺寸 ：
4.70 x 3.70mm
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
类型 ：
1个N沟道
应用 ：
Consumer, Industrial,
是否无铅 ：
Yes
零件状态 ：
Active
阈值电压 ：
3V
导通电阻(RDS(on) ：
5Ω@10V,500mA
漏源电压(Vdss) ：
60V
工作温度 ：
-55℃~+150℃
连续漏极电流 ：
200mA
输入电容(Ci) ：
60pF
安装类型 ：
插件
封装/外壳 ：
TO92-3
MOSFETs N-沟道 60V 200mA TO92-3
2N7000由JSCJ设计生产。2N7000封装/规格：配置/单路：功率耗散/625mW：击穿电压/60V：极性/N-沟道：元件生命周期/Active：应用等级/Industrial：存储温度/-50℃~+150℃：引脚数/3Pin：高度/4.70mm：长x宽/尺寸/4.70 x 3.70mm：原产国家/China：原始制造商/Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd：类型/1个N沟道：应用/Consumer, Industrial,：是否无铅/Yes：零件状态/Active：阈值电压/3V：导通电阻(RDS(on)/5Ω@10V,500mA：漏源电压(Vdss)/60V：工作温度/-55℃~+150℃：连续漏极电流/200mA：输入电容(Ci)/60pF：安装类型/插件：封装/外壳/TO92-3：，MOSFETs N-沟道 60V 200mA TO92-3。你可以下载2N7000中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
