DC电流增益(hFE) ：
400
集电极电流 Ic ：
1.5A
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-23
集射极饱和电压(VCE(sat)) ：
20V
发射极与基极之间电压 VEBO ：
5V
集电极-基极电压（VCBO） ：
40V
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
1.00mm
长x宽/尺寸 ：
2.90 x 1.30mm
存储温度 ：
-55℃~+150℃
元件生命周期 ：
Active
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
FOSAN Semiconductor
是否无铅 ：
Yes
零件状态 ：
Active
三极管 VCEO=20V Ic=1.5A Pc=300mW hFE=85~400
SS8050LT1 Y1由FOSAN设计生产。SS8050LT1 Y1封装/规格：DC电流增益(hFE)/400：集电极电流 Ic/1.5A：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：集射极饱和电压(VCE(sat))/20V：发射极与基极之间电压 VEBO/5V：集电极-基极电压（VCBO）/40V：引脚数/3Pin：高度/1.00mm：长x宽/尺寸/2.90 x 1.30mm：存储温度/-55℃~+150℃：元件生命周期/Active：原产国家/China：原始制造商/FOSAN Semiconductor：是否无铅/Yes：零件状态/Active：，三极管 VCEO=20V Ic=1.5A Pc=300mW hFE=85~400。你可以下载SS8050LT1 Y1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
