FLASH存储器GigadeviceGD25Q64ESIGR
数据：
GD25Q64E_Gigadevice.pdf
待机电流（Max） ：
12μA
存取时间 ：
7ns
接口类型 ：
SPI-四I/O
数据保留 - TDR(年) ：
20年
写周期寿命 ：
100000次
页写入时间(Tpp) ：
500μs
引脚数 ：
8Pin
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-65℃~+150℃
零件状态 ：
Active
是否无铅 ：
Yes
存储器类型 ：
非易失
存储器格式 ：
Flash Memory
技术 ：
FLASH-NOR
存储容量 ：
64Mb
长x宽/尺寸 ：
5.23 x 5.28mm
高度 ：
1.80mm
最大时钟频率 ：
133MHz
工作电压 ：
2.7V~3.6V
工作温度 ：
-40℃~+85℃
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOP8_208MIL
GD25Q64E（64M 位）串行闪存支持标准串行外设接口 （SPI）
GD25Q64ESIGR由Gigadevice设计生产。GD25Q64ESIGR封装/规格：待机电流（Max）/12μA：存取时间/7ns：接口类型/SPI-四I/O：数据保留 - TDR(年)/20年：写周期寿命/100000次：页写入时间(Tpp)/500μs：引脚数/8Pin：元件生命周期/Active：存储温度/-65℃~+150℃：零件状态/Active：是否无铅/Yes：存储器类型/非易失：存储器格式/Flash Memory：技术/FLASH-NOR：存储容量/64Mb：长x宽/尺寸/5.23 x 5.28mm：高度/1.80mm：最大时钟频率/133MHz：工作电压/2.7V~3.6V：工作温度/-40℃~+85℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOP8_208MIL：，GD25Q64E（64M 位）串行闪存支持标准串行外设接口 （SPI）。你可以下载GD25Q64ESIGR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FLASH存储器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
