ESD抑制器/TVS二极管WILLSEMIESD5304D-10/TR
数据：
ESD5304D_WILLSEMI.pdf
反向漏电流 IR ：
1nA
击穿电压 ：
7V
长x宽/尺寸 ：
2.50 x 1.00mm
高度 ：
0.65mm
安装类型 ：
SMT
工作温度 ：
-55℃~+150℃
击穿电压 -min ：
7V
极性 ：
单向
钳位电压 ：
12V
引脚数 ：
10Pin
元件生命周期 ：
Active
原产国家 ：
China
原始制造商 ：
Will Semiconductor Ltd.
零件状态 ：
Active
通道数 ：
4
系列 ：
ESD
类型 ：
TVS
反向断态电压 ：
5V
峰值脉冲电流（Ipp） ：
4A
功率-峰值脉冲 ：
48W
封装/外壳 ：
DFN2510-10
TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=7V VC=12V IPP=4A Ppk=48W DFN2510-10L
ESD5304D-10/TR由WILLSEMI设计生产。ESD5304D-10/TR封装/规格：反向漏电流 IR/1nA：击穿电压/7V：长x宽/尺寸/2.50 x 1.00mm：高度/0.65mm：安装类型/SMT：工作温度/-55℃~+150℃：击穿电压 -min/7V：极性/单向：钳位电压/12V：引脚数/10Pin：元件生命周期/Active：原产国家/China：原始制造商/Will Semiconductor Ltd.：零件状态/Active：通道数/4：系列/ESD：类型/TVS：反向断态电压/5V：峰值脉冲电流（Ipp）/4A：功率-峰值脉冲/48W：封装/外壳/DFN2510-10：，TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=7V VC=12V IPP=4A Ppk=48W DFN2510-10L。你可以下载ESD5304D-10/TR中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ESD抑制器/TVS二极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
