配置 ：
单路
栅极电荷(Qg) ：
22.5nC
阈值电压 ：
2.2V@250μA
Vgs(Max) ：
±20V
工作温度 ：
-55℃~+150℃(TJ)
晶体管类型 ：
N沟道
功率耗散 ：
23W
额定功率 ：
23W
充电电量 ：
15.7nC
反向传输电容Crss ：
62pF
栅极源极击穿电压 ：
±20V
击穿电压 ：
30V
极性 ：
N-沟道
引脚数 ：
8Pin
高度 ：
0.80mm
长x宽/尺寸 ：
3.00 x 3.00mm
原产国家 ：
America
原始制造商 ：
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
类型 ：
1个N沟道
输入电容 ：
951pF
漏源电压(Vdss) ：
30V
连续漏极电流 ：
30A
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
DFN8_3X3MM_EP
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) ：
5mΩ@10V,20A
N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP
AON7544由AOS设计生产。AON7544封装/规格：配置/单路：栅极电荷(Qg)/22.5nC：阈值电压/2.2V@250μA：Vgs(Max)/±20V：工作温度/-55℃~+150℃(TJ)：晶体管类型/N沟道：功率耗散/23W：额定功率/23W：充电电量/15.7nC：反向传输电容Crss/62pF：栅极源极击穿电压/±20V：击穿电压/30V：极性/N-沟道：引脚数/8Pin：高度/0.80mm：长x宽/尺寸/3.00 x 3.00mm：原产国家/America：原始制造商/Alpha & Omega Semiconductor Inc.：类型/1个N沟道：输入电容/951pF：漏源电压(Vdss)/30V：连续漏极电流/30A：安装类型/SMT：封装/外壳/DFN8_3X3MM_EP：导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)/5mΩ@10V,20A：，N沟道AlphaMOS VDS=30V VGS=±20V ID=30A DFN3X3_EP。你可以下载AON7544中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
