配置 ：
单路
阈值电压 ：
3V@250µA
Vgs(Max) ：
±25V
漏源电流(Idss) ：
12A
工作温度 ：
-55℃~+150℃
晶体管类型 ：
P沟道
功率耗散 ：
3.1W
额定功率 ：
3.1W
充电电量 ：
39nC
反向传输电容Crss ：
295pF
栅极源极击穿电压 ：
±25V
击穿电压 ：
30V
极性 ：
P-沟道
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55℃~+150℃
引脚数 ：
8Pin
高度 ：
1.65mm
长x宽/尺寸 ：
4.90 x 3.90mm
原产国家 ：
America
原始制造商 ：
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
类型 ：
1个P沟道
输入电容 ：
2.6nF@15V
湿气敏感性等级 (MSL) ：
1（无限）
是否无铅 ：
Yes
系列 ：
-
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
30V
连续漏极电流 ：
12A
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOIC-8
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) ：
11mΩ@20V,12A
MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8
AO4407A由AOS设计生产。AO4407A封装/规格：配置/单路：阈值电压/3V@250µA：Vgs(Max)/±25V：漏源电流(Idss)/12A：工作温度/-55℃~+150℃：晶体管类型/P沟道：功率耗散/3.1W：额定功率/3.1W：充电电量/39nC：反向传输电容Crss/295pF：栅极源极击穿电压/±25V：击穿电压/30V：极性/P-沟道：元件生命周期/Active：存储温度/-55℃~+150℃：引脚数/8Pin：高度/1.65mm：长x宽/尺寸/4.90 x 3.90mm：原产国家/America：原始制造商/Alpha & Omega Semiconductor Inc.：类型/1个P沟道：输入电容/2.6nF@15V：湿气敏感性等级 (MSL)/1（无限）：是否无铅/Yes：系列/-：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/30V：连续漏极电流/12A：安装类型/SMT：封装/外壳/SOIC-8：导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)/11mΩ@20V,12A：，MOSFETs P-沟道 30V 12A SOIC-8。你可以下载AO4407A中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
