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信号/去耦电感TDKMLZ2012N100LT000

数据: MLZ2012_TDK.pdf

直流电阻(DCR) : 300mΩ
供应商器件封装 : 0805(2012公制)
饱和电流 : 110mA
大小/尺寸 : 2.00 x 1.25mm
安装类型 : SMT
包装 : Tape/Reel
应用 : Consumer, Industrial,
最大安装高度 : 1.25mm
测试频率 : 2MHz
屏蔽 : Shielded
磁芯材料 : 铁氧体
类型 : 多层
系列 : MLZ
精度 : ±20%
额定电流 : 110mA
直流电阻(DCR)(Max) : 0.39Ω
Q值@Freq(typ) : -
自谐频率(S.R.F.)(typ) : -
等级 : -
工作温度 : -55~+125℃
封装/外壳 : 2012
去耦电感 2012 10µH ±20% 110mA 300mΩ
MLZ2012N100LT000由TDK设计生产。MLZ2012N100LT000封装/规格:直流电阻(DCR)/300mΩ:供应商器件封装/0805(2012公制):饱和电流/110mA:大小/尺寸/2.00 x 1.25mm:安装类型/SMT:包装/Tape/Reel:应用/Consumer, Industrial,:最大安装高度/1.25mm:测试频率/2MHz:屏蔽/Shielded:磁芯材料/铁氧体:类型/多层:系列/MLZ:精度/±20%:额定电流/110mA:直流电阻(DCR)(Max)/0.39Ω:Q值@Freq(typ)/-:自谐频率(S.R.F.)(typ)/-:等级/-:工作温度/-55~+125℃:封装/外壳/2012:,去耦电感 2012 10µH ±20% 110mA 300mΩ。你可以下载MLZ2012N100LT000中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有信号/去耦电感详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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