直流电阻（DCR） ：
300mΩ
供应商器件封装 ：
0805（2012公制）
饱和电流 ：
110mA
大小/尺寸 ：
2.00 x 1.25mm
安装类型 ：
SMT
包装 ：
Tape/Reel
应用 ：
Consumer, Industrial,
最大安装高度 ：
1.25mm
测试频率 ：
2MHz
屏蔽 ：
Shielded
磁芯材料 ：
铁氧体
类型 ：
多层
系列 ：
MLZ
精度 ：
±20%
额定电流 ：
110mA
直流电阻(DCR)(Max) ：
0.39Ω
Q值@Freq(typ) ：
-
自谐频率(S.R.F.)(typ) ：
-
等级 ：
-
工作温度 ：
-55~+125℃
封装/外壳 ：
2012
去耦电感 2012 10µH ±20% 110mA 300mΩ
MLZ2012N100LT000由TDK设计生产。MLZ2012N100LT000封装/规格：直流电阻（DCR）/300mΩ：供应商器件封装/0805（2012公制）：饱和电流/110mA：大小/尺寸/2.00 x 1.25mm：安装类型/SMT：包装/Tape/Reel：应用/Consumer, Industrial,：最大安装高度/1.25mm：测试频率/2MHz：屏蔽/Shielded：磁芯材料/铁氧体：类型/多层：系列/MLZ：精度/±20%：额定电流/110mA：直流电阻(DCR)(Max)/0.39Ω：Q值@Freq(typ)/-：自谐频率(S.R.F.)(typ)/-：等级/-：工作温度/-55~+125℃：封装/外壳/2012：，去耦电感 2012 10µH ±20% 110mA 300mΩ。你可以下载MLZ2012N100LT000中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有信号/去耦电感详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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