TC2381 低噪声和中等功率 GaAs FET

FET GaAs 晶体管

型号： TC2381

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo
型号 TC2381
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Ceramic micro-X

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的TC2381是一种高性能场效应晶体管，安装在带有TC1301的陶瓷micro-x封装中PHEMT芯片。它具有非常低的噪声系数、高的相关增益和高的动态范围，使该设备成为可能适用于低噪声放大器。所有设备都经过100%直流测试，以确保质量一致。

型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC2381
名称砷化镓HEMT
产地日本
封装 Ceramic micro-X

型号参数
0.9 dB 12 GHz时的典型噪声系数
高相关增益：Ga=9 dB，典型频率为12 GHz
12 GHz时的24.5 dBm典型功率
12 GHz时的10 dB典型线性功率增益
击穿电压：BVDGO≥9 V
Lg=0.25µm，Wg=600µm
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
100%直流测试
Micro-X金属陶瓷封装

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