--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DGD0211CWTQ
- 名称 1.9A 高速单栅极 驱动器
- 产地 台湾
- 封装 TSOT25
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的DGD0211CWTQ这款单高速/低侧 MOSFET 和 IGBT 驱动器能够驱动 1.9A 的峰值电流。DGD0211C 逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平(低至 3.3V)兼容,可轻松与 MCU 连接。DGD0211C 提供同相和反相输入。
由于具有 35ns 典型值的快速传播时间和 15ns 典型值上升/下降时间,DGD0211C 非常适合开关模式电源和 PFC 电路等高速应用。
DGD0211C 采用 TSOT25 封装,工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DGD0211CWTQ
名称 1.9A 高速单栅极 驱动器
产地 台湾
封装 TSOT25
产品参数
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Driver Type Single Low Side
Configuration Inverting / Non-Inverting
Supply Voltage Max (V) 18
Output Current Io+ Typ (mA) 1900
Output Current Io- Typ (mA) 1800
ton / toff Typ (ns) 35/35
tr / tf Typ (ns) 15/15
主要特征
用于驱动 MOSFET 和 IGBT 的高效低成本解决方案
宽电源电压工作范围:4.5V 至 18V
9A 拉电流/1.8A 灌电流输出能力
同相和反相输入配置
快速传播延迟(典型值 35ns)
快速上升和下降时间(典型值 15ns)
逻辑输入(IN、IN*)3.3V 能力
扩展温度范围:-40°C 至 +125°C
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