产品简介
DIODES 的 D3V3L1B2WS 这款在取代低工作电压至关重要的便携式应用中的多层压敏电阻 (MLV)，与 MLV 相比，它具有卓越的电气特性，例如更低的钳位电压和无器件退化。D3V3L1B2WS 旨在保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD)、闪电、电快速瞬变 (EFT) 和电缆放电事件 (CDE) 造成的损坏或干扰。
产品规格
品牌 DIODES
型号 D3V3L1B2WS
名称 1 通道双向 TVS 二极管
产地 台湾
封装 SOD323
产品参数
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20±s Max 5
AEC Qualified Yes
Configuration Bi-Directional
Channel Input CapacitanceCT Typ(pF) 11 pF
Reverse Standoff Voltage VRWM(V) 3.3 V
Breakdown VoltageVBR Min(V) 3.5 V
Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max(µA) 0.05 µA
Maximum Clamping Voltage @ MaxPeak Pulse CurrentVC(V) 18 V
VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge(kV) 26 kV
主要特征
根据 IEC 61000-4-2 标准提供 ESD 保护：
空气±26kV，接触±26kV
1路ESD保护
保护一根电源或 I/O 线
峰值脉冲功率：P PP = 90W，t p = 8/20μs
低钳位电压
相关型号
D24V0S1U2TQ
D24V0S1U3LP20
D24V0S1UG3LP20
D26V0H1U2LP16
D26V0H1U2LP20
D26V0S1U2LP20
D26V0S1U3LP20
D28V0H1U2P5Q
D2V5F4U8MR
D2V5H1BS2LP
D2V5H1BS2LP4
D2V5L1BS2LP
D2V5L1BS2LP3
D2V5L1BS2LP4
D2V8F4U8MR
D30V0S1U3LP20
D30V0S1UG3LP20
D33V0S1U2LP1608
D33V0S1U2LP1610
D34V0H1U2LP
D36V0L1B2LP
D36V0S1U2LP1610
D36V0S1U2LP1610Q
D3V3AP2WF
D3V3F4U10LP
D3V3F4U10LPQ
D3V3F4U6S
D3V3F4U8MR
D3V3F8U9LP3810
D3V3H1B2LP
D3V3H1B2LPQ
D3V3H1U2LP
D3V3HN1B2LP
D3V3L1B2LP3
D3V3L1B2LP3Q
D3V3L1B2T
D3V3L1B2WS
D3V3L2B3LP10
D3V3L2BS3LP
D3V3L2BS3LPQ
D3V3L4BS4LP1308
