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ZXMS6006DT8 60V 双 N 沟道自保护增强型 MOSFET 晶体管

型号: ZXMS6006DT8

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMS6006DT8
  • 名称 60V 双 N 沟道自保护增强型智能 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SM-8

--- 产品详情 ---

ZXMS6006DT8 

产品简介
DIODES 的 ZXMS6006DT8 是一款具有逻辑电平输入的双自保护低侧 MOSFET。它针对每个通道独立集成了过温、过流、过压(有源钳位)和 ESD 保护逻辑电平功能。ZXMS6006DT8 非常适合在标准 MOSFET 不够坚固的恶劣环境中作为由 3.3V 或 5V 微控制器驱动的通用开关。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMS6006DT8
名称                    60V 双 N 沟道自保护增强型智能 MOSFET
产地                    台湾
封装                    SM-8


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Standard
Configuration Dual
Polarity N
TAB -
BVDSS (V) 60
ID VIN = 5V (A) 2.8
PD (W) 2.13
RDS(ON) Max @ VIN (3V) (mΩ) 125
RDS(ON) Max @VIN (5V) (mΩ) 100
VDSVIN = 5V (S/C) (%) 16
EAS (mJ) 210
TJ (°C) 150


主要特征
紧凑型高功耗封装
低输入电流
逻辑电平输入(3.3V和5V)
具有自动重启功能的短路保护
过电压保护(有源箝位)
带自动重启功能的热关机
过电流保护
输入保护(ESD)
高连续电流额定值


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