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ZXMN6A08GQ 60V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: ZXMN6A08GQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 ZXMN6A08GQ
  • 名称 60V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT223

--- 产品详情 ---

ZXMN6A08GQ  

 产品简介
DIODES 的 ZXMN6A08GQ该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。

 

产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    ZXMN6A08GQ
名称                    60V N 沟道增强型 MOSFET 
产地                    台湾
封装                    SOT223


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.8 nC
CISS Typ (pF) 459 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V


主要特征
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动


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