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DMTH3004LK3 30V 175°C N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMTH3004LK3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMTH3004LK3
  • 名称 30V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO252

--- 产品详情 ---

DMTH3004LK3 

产品简介
DIODES 的 DMTH3004LK3 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMTH3004LK3
名称                  30V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  TO252

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20, 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 21 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 75 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
PD @TC = +25°C (W) 107 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 44 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容


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