--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMTH10H072LPS
- 名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI®5060-8
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMTH10H072LPS 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH10H072LPS
名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI®5060-8
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 57 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 96 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.1 nC
CISS Typ (pF) 266 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
100% 非钳位感应开关 – 确保更可靠、更稳健的最终应用
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少状态损失
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