--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMTH10H010LCT
- 名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO220AB
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMTH10H010LCT 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH10H010LCT
名称 100V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO220AB
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 108 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
PD @TC = +25°C (W) 166 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 58.4 nC
CISS Typ (pF) 2592 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
低输入电容
适合电源应用的高 BV DSS额定值
低输入/输出泄漏
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