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DMT8008SK3 80V N 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMT8008SK3

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMT8008SK3
  • 名称 80V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 TO252

--- 产品详情 ---

DMT8008SK3 

产品简介
DIODES 的 DMT8008SK3 这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMT8008SK3
名称                  80V N 沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  TO252


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 80 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.8 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1950 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 40 V


主要特征
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 –
确保最终应用更加可靠和稳健
低 RDS(ON) – 最大限度地减少功率损耗
低 Qg – 最大限度地减少开关损耗


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