--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMPH33M8SPSWQ
- 名称 30V P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q)
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMPH33M8SPSWQ 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准并得到 PPAP 支持。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMPH33M8SPSWQ
名称 30V P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q)
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 3.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 40.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 80.8 nC
CISS Typ (pF) 3,775 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
生产中 100% 未钳位感应开关 (UIS) 测试
热效率封装冷却器运行应用
高转换效率
低 R DS(on) – 最大限度地减少导通状态损耗 < 1.1mm 封装外形 – 薄型应用的理想选择
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