--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP68D1LFB
- 名称 65V P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 X1-DFN1006-3
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMP68D1LFB 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP68D1LFB
名称 65V P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X1-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 65 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.29 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8000 (@5V) mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 18000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.8 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 (@5V) nC
CISS Typ (pF) 42 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
静电放电保护
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