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DMP3021SPDW 双P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMP3021SPDW

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP3021SPDW
  • 名称 双P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 PowerDI®5060-8

--- 产品详情 ---

DMP3021SPDW 

产品简介
DIODES 的 DMP3021SPDW 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS( on) ),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP3021SPDW
名称                  双P  沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  PowerDI®5060-8


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 39 A
PD @TA = +25°C (W) 2.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28(@5V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17.4(@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1799 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
生产中 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 – 确保最终应用更加可靠和稳健
热效率封装冷却器运行应用
高转换效率
低 R DS(on) – 最大限度地减少状态损失
低输入电容
开关速度快
用于改进光学检测的可润湿侧面
ESD保护栅极


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