产品简介
DIODES 的 DMP2900UFB 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP2900UFB
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 X1-DFN1006-3
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.99 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 750 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1050 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1500 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 49 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V
主要特征
0.6mm2 占板面积 — 比 SOT23 小十三倍
低栅极阈值电压
开关速度快
ESD保护栅极
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