--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMN2058U
- 名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SOT23
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMN2058U 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
电池充电
电源管理功能
DC-DC转换器
便携式电源适配器
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2058U
名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.13 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 35 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 40 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 60 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 91 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.7 nC
CISS Typ (pF) 281 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
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