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DMN2056U 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN2056U

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2056U
  • 名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT23

--- 产品详情 ---

DMN2056U 

产品简介
DIODES 的 DMN2056U 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(打开)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。
电池充电
电源管理功能
DC-DC转换器
便携式电源适配器


产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2056U
名称               20V N 沟道增强型 MOSFET
产地               台湾
封装               SOT23


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.94 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 85 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.3 nC
CISS Typ (pF) 339 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏


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