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DMN2022UFDF 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMN2022UFDF

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN2022UFDF
  • 名称 N沟道MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 产品详情 ---

DMN2022UFDF 

产品简介
DIODES 的 DMN2022UFDF 这种MOSFET被设计为使导通电阻最小化(RDS(ON)),同时保持卓越的切换性能,使其非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌               DIODES
型号               DMN2022UFDF
名称               N沟道MOSFET
产地               台湾
封装               U-DFN2020-6 (Type F)

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 22 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 26 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 36 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 9.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 907 pF

 

主要特征
0.6mm轮廓–适用于低轮廓应用
PCB占地面积4mm2
低栅极阈值电压
快速切换速度
ESD保护门


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