产品简介
DIODES 的DMN2005UFGQ 这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准，由PPAP，非常适合用于：
电机控制
负载开关
DC-DC转换器
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN2005UFGQ
名称 20V N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 PowerDI3333-8
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 18 A
PD @TA = +25°C (W) 2.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 68.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 164 nC
CISS Typ (pF) 6495 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
低RDS（ON）-确保最大限度地减少状态损耗
小尺寸热效封装实现更高密度最终产品
占SO-8启用占用的板面积的33%较小的最终产品
100%无阻尼感应开关，在生产中测试-确保更加可靠和稳健的最终应用程序
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