产品简介
DIODES 的DMN13H750S 这种新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度地减少通态电阻 (RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能性能，使其成为高效电源管理的理想选择应用程序。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMN13H750S
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 130 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1 A
PD @TA = +25°C (W) 1.26 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 750 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 850 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.6 nC
CISS Typ (pF) 231 pF
主要特征
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
小型表面贴装封装
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