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DMG3401LSNQ 沟道增强型 MOSFET 晶体管

型号: DMG3401LSNQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG3401LSNQ
  • 名称 30V P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SC59

--- 产品详情 ---

DMG3401LSNQ 

产品简介
DIODES 的 DMG3401LSNQ 这款新一代小信号增强模式 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特点,非常适合高效电源管理应用。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG3401LSNQ
名称            30V P 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            SC59


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 50 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 60 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 85 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 11.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.1 nC
CISS Typ (pF) 1326 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低输入电容
低导通电阻
低输入/输出泄漏


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