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DMG1013TQ 沟道增强模式 MOSFET 晶体管

型号: DMG1013TQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMG1013TQ
  • 名称 20V P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 SOT523

--- 产品详情 ---

DMG1013TQ 

产品简介
DIODES 的 DMG1013TQ 这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准,由
PPAP,非常适合用于:
DC-DC转换器
负载开关
电源管理功能


产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMG1013TQ
名称            20V P 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装             SOT523


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.46 A
PD @TA = +25°C (W) 0.27 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 700 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1300 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.58 nC
CISS Typ (pF) 59.76 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V


主要特征
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
切换速度快
低输入/输出泄漏


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