产品简介
DIODES 的 DMC2990UDJ 这款新一代 20V N + P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合便携式、电池组和其他电源管理功能。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMC2990UDJ
名称 互补对增强模式 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT963
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20, 20 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.45, 0.31 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990, 1900 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200, 2400 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800, 3400 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4, 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5, 0.4 nC
CISS Typ (pF) 27.6, 28.7 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V
主要特征
低导通电阻
极低栅极阈值电压，最大1.0V
低输入电容
快速切换速度
超小型表面安装封装1mm x 1mm
低封装外形，最大封装高度0.45mm
ESD保护门
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