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F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:09
产品型号：F658-H130M1H 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：F658-H130M1H 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN -
F658-E030MK 高压-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:11
产品型号：F658-E030MK 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号： F658-E030MK 名称： GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN -
F658-E070MK 高压-大功率GaN HEMT2023-12-05 13:04
产品型号：F658-E070MK 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：F658-E070MK 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN -
SGNL015Z2K-RT DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT2023-12-05 12:55
产品型号：SGNL015Z2K-RT 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGNL015Z2K-RT 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地 ：日本 封装：DFN -
SGNL015Z2K-R DC–3.8GHz高功率GaN HEMTT2023-12-05 12:52
产品型号：SGNL015Z2K-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGNL015Z2K-R 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN -
SGNL005Z2K-R 5.0GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 12:42
产品型号：SGNL005Z2K-R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGNL005Z2K-R 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN -
FHX35LGT 超低噪声HEMT2023-12-05 12:29
产品型号：FHX35LGT 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FHX35LGT 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：LG -
FHX13LGT 超低噪声HEMT2023-12-05 12:21
产品型号：FHX13LGT 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FHX13LGT 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：LG -
FHX14X 是一款超高电子迁移率 晶体管2023-12-05 10:56
产品型号：FHX14X 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FHX14X 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
FHX35X 是一款超高电子迁移率 晶体管2023-12-05 10:40
产品型号：FHX35X 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FHX35X 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip