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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • FLU10XM L波段中高功率GaAs FET 2023-12-06 09:48

    产品型号:FLU10XM 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号: FLU10XM 名称: High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XM
  • FLL357ME L波段中高功率GaAs FET 2023-12-06 09:36

    产品型号:FLL357ME 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLL357ME 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:ME
  • FLK057XV GaAs FET芯片2023-12-06 09:18

    产品型号:FLK057XV 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号: FLK057XV 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XV
  • FLU10ZM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 23:02

    产品型号:FLU10ZM 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLU10ZM 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XP
  • FLC157XP GaAs FET和HEMT芯片2023-12-05 22:55

    产品型号:FLC157XP 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLC157XP 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XP
  • FLC087XP GaAs FET芯片2023-12-05 22:47

    产品型号:FLC087XP 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLC087XP 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XP
  • FLU10ZMTE1 L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:39

    产品型号:FLU10ZMTE1 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLU10ZMTE1 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:ME
  • FLU17XM L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:30

    产品型号:FLU17XM 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLU17XM 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XM
  • FLU17XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:24

    产品型号:FLU17XMT 厂家:Sumitomo Electric Device Innov 型号:FLU17XMT 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XM
  • FLU10XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:16

    产品型号:FLU10XMT 厂家: Sumitomo Electric Device Inno 型号:FLU10XMT 名称:High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地:日本 封装:XM