SGNL015Z2K-R DC–3.8GHz高功率GaN HEMTT

GaN 晶体管

型号： SGNL015Z2K-R

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGNL015Z2K-R
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGNL015Z2K-R提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性3.8GHz雷达应用，50V操作。SGNL015Z2K-R为适用于宽带应用。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGNL015Z2K-R
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

型号参数
用于直流至3.8GHz的高功率GaN HEMT
高功率：17W@3.8GHz
高效率：56%@3.8GHz
DFN塑料包装

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