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TC1202P0912 超低噪声GaAs FET2023-12-04 18:54
产品型号：TC1202P0912 厂家：Sumitomo 型号：TC1202P0912 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1202P0710 超低噪声GaAs FET2023-12-04 18:46
产品型号：TC1202P0710 厂家：Sumitomo 型号：TC1202P0710 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC2201 塑料封装低噪声PHEMT GaAs FET2023-12-04 18:19
产品型号：TC2201 厂家：Sumitomo 型号：TC2201 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Ceramic micro-X -
TC1606 2W高线性高效率GaAs功率场效应 晶体管2023-12-04 13:41
产品型号：TC1606 厂家：Sumitomo 型号：TC1606 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC2181 低噪声高动态范围 GaAs FET2023-12-04 13:30
产品型号：TC2181 厂家：Sumitomo 型号：TC2181 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Ceramic micro-X -
TC1501 1W高线性高效率GaAs功率场效应 晶体管2023-12-04 13:19
产品型号：TC1501 厂家：Sumitomo 型号：TC1501 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC2381 低噪声和中等功率 GaAs FET2023-12-04 13:07
产品型号：TC2381 厂家：Sumitomo 型号：TC2381 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Ceramic micro-X -
TC2281 低噪声 高动态范围 GaAs FET2023-12-04 12:56
产品型号：TC2281 厂家：Sumitomo 型号：TC2281 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Ceramic micro-X -
TC2282 低噪声陶瓷封装PHEMT GaAs FET2023-12-04 12:46
产品型号：TC2282 厂家：Sumitomo 型号：TC2282 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1301 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 12:20
产品型号：TC1301 厂家：Sumitomo 型号：TC1301 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip