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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • FLM7179-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 14:49

    产品型号：FLM7179-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7179-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM7185-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 14:42

    产品型号：FLM7185-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7185-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM7179-18F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 14:36

    产品型号：FLM7179-18F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7179-18F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM7185-6F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 14:28

    产品型号：FLM7185-6F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7185-6F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM7785-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 14:05

    产品型号：FLM7785-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7785-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM7785-6F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 13:58

    产品型号：FLM7785-6F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7785-6F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM7785-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 13:43

    产品型号：FLM7785-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7785-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM5964-18F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 13:35

    产品型号：FLM5964-18F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5964-18F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM7785-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 12:15

    产品型号：FLM7785-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7785-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM7785-18F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 12:06

    产品型号：FLM7785-18F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7785-18F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK
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