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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • FLM1213-4F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 16:42

    产品型号：FLM1213-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1213-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM1314-6F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 16:35

    产品型号：FLM1314-6F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1314-6F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM1213-6F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 16:27

    产品型号：FLM1213-6F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1213-6F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM1213-8F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 16:21

    产品型号：FLM1213-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1213-8F 名称： High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM5972-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 16:12

    产品型号：FLM5972-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5972-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM6472-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 16:04

    产品型号：FLM6472-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM6472-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM6472-18F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 15:56

    产品型号：FLM6472-18F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM6472-18F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM6472-25F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 15:49

    产品型号：FLM6472-25F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM6472-25F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM6472-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 15:40

    产品型号：FLM6472-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM6472-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM7179-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 15:29

    产品型号：FLM7179-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7179-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK
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