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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • FLU35XMT L波段中高功率GaAs FET2023-12-05 22:08

    产品型号：FLU35XMT 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLU35XMT 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：XM

  • ELM1314-30F/001 Ku波段内部匹配FET2023-12-05 20:35

    产品型号：ELM1314-30F/001 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：ELM1314-30F/001 名称：IMFET GaAs 砷化镓IMFET 产地：日本 封装：M2A

  • FLM1011-12F/101 X、 Ku波段内部匹配FET2023-12-05 20:25

    产品型号：FLM1011-12F/101 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1011-12F/101 名称： IMFET GaAs 砷化镓IMFET 产地：日本 封装：lB

  • F657-4450-8F C波段内部匹配FET2023-12-05 20:14

    产品型号：F657-4450-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：F657-4450-8F 名称：IMFET GaAs 砷化镓IMFET 产地：日本 封装：lB

  • SMC2933L6012R 高压-大功率GaN HEMT 托盘放大器2023-12-05 19:59

    产品型号：SMC2933L6012R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SMC2933L6012R 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN

  • SMC2933L1512R 高压-大功率GaN HEMT 托盘放大器2023-12-05 19:52

    产品型号：SMC2933L1512R 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SMC2933L1512R 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN

  • SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT2023-12-05 19:42

    产品型号：SGCA100M1H 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SGCA100M1H 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN

  • SG38K30S-D 高压塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:32

    产品型号：SG38K30S-D 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SG38K30S-D 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN

  • SG38K30S-DT 高压塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:25

    产品型号：SG38K30S-DT 厂家： Sumitomo Electric Device Inno 型号：SG38K30S-DT 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN

  • SG38K30S-DT1 高压塑料模GaN HEMT2023-12-05 19:19

    产品型号：SG38K30S-DT1 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：SG38K30S-DT1 名称：GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管 产地：日本 封装：DFN
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