--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型号 F658-E030MK
- 名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
- 产地 日本
- 封装 DFN
--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作,并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 F658-E030MK
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地 日本
封装 DFN
型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:46.5dBm(典型值)@Psat
高效率:55%(典型值)@Psat
线性增益:16.0dB(典型值)@f=2.7GHz
经验证的可靠性
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