F658-E030MK 高压-大功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶体管

型号： F658-E030MK

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 F658-E030MK
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的SEDI的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 F658-E030MK
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：46.5dBm（典型值）@Psat
高效率：55%（典型值）@Psat
线性增益：16.0dB（典型值）@f=2.7GHz
经验证的可靠性

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