产品
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TC1101 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:44
产品型号：TC1101 厂家：Sumitomo 型号：TC1101 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1101P0811 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:38
产品型号：TC1101P0811 厂家：Sumitomo 型号：TC1101P0811 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1102P0710 超低噪声GaAs FET2023-12-04 22:28
产品型号：TC1102P0710 厂家：Sumitomo 型号：TC1102P0710 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1106 超低噪声GaAs PHEMT FET2023-12-04 22:18
产品型号：TC1106 厂家：Sumitomo 型号：TC1106 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1201P0710 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 22:07
产品型号：TC1202P0811 厂家：Sumitomo 型号：TC1201P0710 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1202P0811 超低噪声GaAs FET2023-12-04 21:17
产品型号：TC1202P0811 厂家：Sumitomo 型号：TC1202P0811 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1202 超低噪声GaAs FET2023-12-04 21:11
产品型号：TC1202 厂家：Sumitomo 型号：TC1202 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1201V 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 21:03
产品型号：TC1201V 厂家：Sumitomo 型号：TC1201V 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1301P0710 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:49
产品型号：TC1301P0710 厂家：Sumitomo 型号：TC1301P0710 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1301P0811 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:44
产品型号：TC1301P0811 厂家：Sumitomo 型号：TC1301P0811 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip