F658-H130M1H 直流至3GHz高功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶体管

型号： F658-H130M1H

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 F658-H130M1H
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的应用程序。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 F658-H130M1H
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

型号参数
用于直流至3GHz的高功率GaN HEMT
高功率：150W@3GHz
高效率：57%@3GHz
CW可操作
易于匹配：输入预匹配3GHz
小型无法兰封装

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