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TC1301P0912 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:24
产品型号：TC1301P0912 厂家：Sumitomo 型号：TC1301P0912 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1101P070 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:14
产品型号：TC1101P070 厂家：Sumitomo 型号：TC1101P070 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1101P0710 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:09
产品型号：TC1101P0710 厂家：Sumitomo 型号：TC1101P0710 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1101P0912 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 20:02
产品型号：TC1101P0912 厂家：Sumitomo 型号：TC1101P0912 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1102 超低噪声GaAs FET2023-12-04 19:54
产品型号：TC1102 厂家：Sumitomo 型号：TC1102 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1102P0811 超低噪声GaAs FET2023-12-04 19:38
产品型号：TC1102P0811 厂家：Sumitomo 型号：TC1102P0811 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1102P0912 超低噪声GaAs FET2023-12-04 19:30
产品型号：TC1102P0912 厂家：Sumitomo 型号：TC1102P0912 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1201 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:19
产品型号：TC1201 厂家：Sumitomo 型号：TC1201 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1201P0811 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:11
产品型号：TC1201P0811 厂家：Sumitomo 型号：TC1201P0811 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip -
TC1201P0912 低噪声和中等功率GaAs FET2023-12-04 19:03
产品型号：TC1201P0912 厂家：Sumitomo 型号：TC1201P0912 名称：砷化镓HEMT 产地：日本 封装：Chip