--- 产品参数 ---
- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型号 SMC2933L1512R
- 名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
- 产地 日本
- 封装 DFN
--- 产品详情 ---
型号简介
Sumitomo的GaN HEMT托盘放大器SMC2933L1512R提供高功率大,效率高,易于匹配,覆盖更一致2.9至3.3GHz,适用于50V操作的S波段脉冲应用,以及高达300usec脉冲宽度的脉冲条件和高达10%的占空比。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SMC2933L1512R
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地 日本
封装 DFN
型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:引脚=6.3W(38dBm)时180W(典型值)
高效率:50%(典型值)@引脚=6.3W(38dBm)
功率增益:14.5dB(典型值)
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
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