SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶体管

型号： SGCA100M1H

--- 产品参数 ---

厂家 Sumitomo Electric Device Innov
型号 SGCA100M1H
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

--- 产品详情 ---

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGCA100M1H提供高功率，高效、易于匹配和DC更大的一致性4GHz高功率应用，50V操作。

型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGCA100M1H
名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地日本
封装 DFN

型号参数
用于直流至4GHz的高功率GaN HEMT
高功率：110W@3.9GHz
高效率：48%@3.9GHz
CW可操作
输入预匹配3.9GHz
小型无法兰封装

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