企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

8k 内容数 99w+ 浏览量 307 粉丝

立年电子科技产品

  • FLM5359-18F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 21:34

    产品型号：FLM5359-18F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5359-18F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM5964-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 21:27

    产品型号：FLM5964-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5964-8F 型号：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM5964-6F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 21:17

    产品型号：FLM5964-6F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5964-6F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM1314-3F X、 Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 21:09

    产品型号：FLM1314-3F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1314-3F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM7179-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 20:59

    产品型号：FLM7179-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM7179-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IB

  • FLM1414-12F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 20:51

    产品型号：FLM1414-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1414-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装： IB

  • FLM1011-4F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 20:36

    产品型号：FLM1011-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1011-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM1011-6F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 20:20

    产品型号：FLM1011-6F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号： FLM1011-6F 名称： High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IA

  • FLM1011-8F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 19:48

    产品型号：FLM1011-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1011-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IB

  • FLM1213-12F X、Ku波段 内部匹配 FET2023-12-06 19:40

    产品型号：FLM1213-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM1213-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：IB
328329330331332333334335336337338 789