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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • FLM4450-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-07 14:36

    产品型号：FLM4450-12F 厂家： Sumitomo Electric Device Inno 型号：FLM4450-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM4450-25F C波段 内部匹配 FET2023-12-07 14:28

    产品型号：FLM4450-25F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM4450-25F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM5359-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-07 14:21

    产品型号：FLM5359-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5359-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM5359-4F C波段 内部匹配 FET2023-12-07 14:07

    产品型号：FLM5359-4F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5359-4F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • AD9467BCPZ-250 模数转换器 (ADC)2023-12-07 12:22

    产品型号：AD9467BCPZ-250 型号：AD9467BCPZ-250 封装：LFCSP-72-VQ 接口：并行 分辨率：16位

  • APA-Wireless-Technologies 手册2023-12-07 11:30

    产品型号：APA-Wireless-Technologies 品牌：APA Wireless Technologies VCO：压控振荡器

  • FLM5359-8F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 22:04

    产品型号：FLM5359-8F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5359-8F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lB

  • FLM5359-25F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 21:55

    产品型号：FLM5359-25F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5359-25F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM5964-25F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 21:47

    产品型号：FLM5964-25F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5964-25F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK

  • FLM5964-12F C波段 内部匹配 FET2023-12-06 21:41

    产品型号：FLM5964-12F 厂家：Sumitomo Electric Device Innov 型号：FLM5964-12F 名称：High Power GaAs FET高功率砷化镓场效应管 产地：日本 封装：lK
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